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微弧氧化的溫度與攪拌的影響

發布日期:2018-11-15 作者: 點擊:

微弧氧化與常規的鋁陽極氧化不同,微弧氧化電解液的溫度允許范圍較寬,可在10~90℃條件下進行。溫度越高,工件與溶液界面的水汽化越厲害,膜的形成速度越快,但其粗糙度也隨之增加。同時溫度越高,電解液蒸發也越快,所以微弧氧化電解液的溫度一般控制在20~60℃范圍。由于微弧氧化的大部分能量以熱能的形式釋放,其氧化液的溫度上升較常規鋁陽極氧化快,故微弧氧化過程需配備容量較大的熱交換制冷系統以控制槽液溫度。雖然微弧氧化過程工件表面有大量氣體析出,對電解液有一定的攪拌作用,但為保證氧化溫度和體系組分的均一,一般都配備機械裝置或壓縮空氣對電解液進行攪拌。

微弧氧化電壓和電流密度的控制對獲取合格膜層同樣至關重要。不同的鋁基材料和不同的氧化電解液,具有不同的微弧放電擊穿電壓(擊穿電壓:工件表面剛剛產生微弧放電的電解電壓),微弧氧化電壓一般控制在大于擊穿電壓幾十至上百伏的條件下進行。氧化電壓不同,所形成的陶瓷膜性能、表面狀態和膜厚不同,根據對膜層性能的要求和不同的工藝條件,微弧氧化電壓可在200~600V范圍內變化。選用工作電壓的原則是既要保證在氧化過程中盡可能長時間地維持發育良好的火花或電弧現象,又要防止電壓過高而引發破壞性電弧的出現。


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